1. 반도체는 고온 환경에서 장기적으로 반도체의 성능을 저하시키는 HCI, NBTI, 일렉트로마이그레이션 등에 취약하며, 이는 반도체 수명을 가속화시킴
2. 최악의 경우 트랜지스터 게이트가 박살나 칩 동작에 문제가 생길 수 있음
3. 발열 증가
=> 트랜지스터 누설 전류 증가
=> 총 전류 증가
=> 발열 증가
라는 순환고리가 만들어짐
1. 반도체는 고온 환경에서 장기적으로 반도체의 성능을 저하시키는 HCI, NBTI, 일렉트로마이그레이션 등에 취약하며, 이는 반도체 수명을 가속화시킴
2. 최악의 경우 트랜지스터 게이트가 박살나 칩 동작에 문제가 생길 수 있음
3. 발열 증가
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흠...서버실에 사람이 아무도 없는데 에어컨이 켜져있네...깜빡했나보다 꺼야징
흠...서버실에 사람이 아무도 없는데 에어컨이 켜져있네...깜빡했나보다 꺼야징
냐로
사실 그건 반도체 칩 자체 문제보단 배터리 이슈가 더 큼
냐로
사실 그냥 걔들이 쿨링 솔루션 설계를 잘못한것 칩 발열 이슈가 있으면 그만치 쿨링 솔루션 설계를 해서 극복하던가 아니면 이번 패치처럼 전력 프로파일 조절을 잘 하던가 했어야하는데 AP 자체의 발열 이슈가 있다지만 그냥 그건 폰을 못만든거에요...
공정미세화 때문에 발열문제가 점점 심각해지지. 미세공정 진전되도 생각보다 칩 크기가 줄지 않는 이유 중 하나
소모되는 전력이 아무리 줄어든대도 그만큼 칩 면적이 줄어들면 결국 전력 밀도가 높아지니...
제 친구가 고려대 SoC 연구실에서 프로세서 발열관리관련 연구하다가 문제 생겨서 DRAM쪽으로 선회하던데.. 발열잡는게 진짜 어려운듯..