삼성이 업계 처음으로 D램에 EUV 공정을 적용해 양산 체제를 갖췄다고 공식 발표했습니다.
이로써
EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다도 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높여 사업 경쟁력을 더욱 강화할 수 있게 되었습니다.
또한
내년에는 성능과 용량을 더욱 높인
4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산
5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이라고 합니다.
<삼성전자 초격차 EUV장비 활용 D램양산 성공> - 세계 최초 D램에 EUV 공정 적용해 양산체제 갖춰 - 이미 복수의 글로벌 고객사에 공급하고 성능에 이상없음 평가 받음 - 14나노 초반대 '4세대 10nm급(1a) D램 양산기술 개발중 (양산시기 내년) - 4세대 10nm급 D램 (1세대 10nm급 D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성이 2배 높음) - 삼성전자 2020년 하반기 (경기도 평택 V2 라인을 가동해 양산체제 구축 계획)
딸5 빨리 나와라
크.. 양산전자ㄷㄷ