IEDM2025)삼성, 10nm 이하 차세대 D램 COP·VCT 구조 적용
본 연구에서는 비정질 InGaO(a-IGO) 기반 수직 채널 트랜지스터를 세계 최초로 시연하였으며, 해당 소자는 100 nm 채널 길이를 가지면서도 최대 550°C까지 견딜 수 있어 모놀리식 셀-온-페리 DRAM 아키텍처 집적 가능성을 입증하였습니다.
550°C 질소 어닐링 이후에도 소자들은 문턱전압 변화가 0.1 eV 이하로 유지되었고, 드레인 전류 열화는 거의 관찰되지 않았습니다. 또한 우수한 NBTI 특성(ΔVt = –8 mV)을 보여 10년 이상의 안정적인 동작이 가능함을 확인하였습니다.
MD 및 DFT 시뮬레이션 결과, 이러한 열적 안정성은 채널–전극 계면에서의 양이온 및 음이온의 외확산이 억제되기 때문임을 밝혔습니다.