삼성전자, 1c D램에 '건식 PR' 첫 적용…차세대 D램 경쟁력 강화
10일 업계에 따르면 삼성전자는 1c D램에 건식 PR를 도입하기로 결정하고, 장비 반입까지 마쳤다. 지난해부터 1c 양산라인을 구축 중인 평택 4공장(P4)에 미국 램리서치의 건식 PR 장비를 들인 것으로 파악됐다. 언더레이어, 증착장비, 현상장비 등 복수 설비가 도입됐다.
램리서치는 2020년 노광장비 업체 ASML, 반도체 연구소 아이멕(imec)과 협력해 건식 PR 기술을 개발해 왔고 미국 소재업체 엔테그리스, 겔레스트 등과 상용화를 준비했다. D램 업체 중에서는 삼성전자, SK하이닉스가 연구개발(R&D)을 진행해 왔는데 삼성전자가 먼저 적용을 결정했다.
10나노미터(㎚) 안팎 초미세 공정에서는 습식 PR 적용 시 현상·PR 스트립에 액체가 사용됨에 따른 표면장력으로 패턴이 붕괴되는 문제가 발생, 건식 PR가 대안으로 떠올랐다.
건식 PR는 현상·잔여 PR 제거 등도 건식으로 진행하는 방식이다. 미세회로 패턴 사이 액체가 마르면서 패턴 양쪽을 잡아당겨 무너뜨리는 표면장력 문제를 해결할 수 있는 것으로 전해졌다. 또 노광 효율이 높아 미세회로 패턴을 더 명확하게 그려 넣을 수 있다는 평가다.