학사 수준 ㅈ문가라 잘못된 설명이 포함되어 있을 수 있음
일단 일렉트로마이그레이션이 뭐냐면, 전자가 이동하며 낮은 확률로 원자핵과 충돌하며 지나가는데, 이게 누적되며 원자핵의 배치가 달라지는 현상임
이게 뭔 의미냐면, 본래 잘 배치되어있던 원자핵의 배치가 달라지며 배선의 모양이 달라진다는 뜻임.
이렇게 배선 모양이 달라지면서 생기는 문제는, 1. 배선 저항이 커지고, 2. 심한 경우 끊어질 수 있음
한편, 반도체의 동작 속도는 결국 전자가 이동하는 그 속도와 관련이 있는건데, 이 동작 속도가 빠를 수록 우리가 익히 아는 클럭(주파수)을 높일 수 있음
반도체는 기본적으로 트랜지스터와 트랜지스터를 배선이 이어주는 구조이고,
예전과 다르게 공정이 미세화되면서 트랜지스터로 이루어진 게이트(NAND니 NOR니 하는 그런것들)을 통과하는 속도(셀 딜레이) 뿐 아니라 배선을 통과하는 속도(넷 딜레이)가 반도체 동작 속도에 끼치는 영향이 커졌음
즉, 대충 말하면 이 일렉트로마이그레이션 현상 때문에 배선 저항이 변화하고, 이로 인해 전체 딜레이가 커져 본래 동작하던 속도를 만족할 수 없다는 뜻
(왜냐면 다음 클럭 신호가 도착하기 전에 데이터 신호가 다음 트랜지스터에 전파가 되야하는데 이게 안되니까)
한편 전자의 속도는 전압과 비례하기 때문에 하드하게 굴리면 굴릴 수록 이 일렉트로마이그레이션 현상이 일어나기 쉬워지고, 씨퓨같은 놈한테 전압 빵빵하게 먹이며 타이트하게 오버한 경우, 시간이 지남에 따라 원래 되던 설정이 안될수도 있다. (짧은 시간은 아니고, 년 단위로 봐야한다)
물론 반도체 설계 당시엔 이런 점을 고려하여 충분한 마진을 두고 설계를 하기 때문에 일반인은 신경 쓸 필요가 없다
showmethemoney
1. 일렉트로마이그레이션 때문에 반도체 회로 배선 저항이 달라진다 2. 이로 인해 동작 속도가 느려질 수 있다 3. 근데 마진두고 설계하기 때문에 일반인은 신경쓸 필요 없다