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[기타] 앤시스, 삼성 2nm 공정에 전력 무결성 사인오프 솔루션 공급

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반도체 칩이 안정적으로 성능을 발휘하기 위해서는 당연히 안정적으로 전력이 공급되어야 하고, 이걸 위해서 반도체 칩을 설계할 때 PDN(power delivery network)을 어떻게 구성하느냐가 매우 중요합니다 이와 관련하여서, 현 세대 대부분의 반도체는 클럭이라고 익히 들어보셨을 동기화 신호를 기준으로 동작하는데, 이 클럭이 바뀔 때마다 칩 내에서 내에서 수많은 트랜지스터/셀이 순간적으로 동작하면서 발생하는 동적 전압 강하(dynamic voltage drop)나, 혹은 어떤 일상적인 장기간 동작 시나리오에 따른 정적 전압 강하(static IR drop) 같은 개념이 있습니다. 어떤 칩을 설계할 때 이 DVD나 IR 드랍의 수준이 기준치를 만족해야 안정적으로 동작한다고 보증하는데, 그 DVD/IR 드랍을 분석할 때 쓰는 프로그램 중 가장 메이저한 프로그램이 앤시스 사의 redhawk과 totem이라는 프로그램입니다 이 외에도 칩의 PDN에 과도한 전류가 흐르거나, 전력 공급망이 아닌 일반 신호 전달용 금속 배선에도 과한 전류든 뭐든 지속적인 스트레스로 인해 금속 배선을 구성하는 원자 배열이 흐트러져 심한 경우 끊어지거나 다른데 붙어버리는 등 영향이 가는 경우가 있는데(electromigration), 그걸 분석하는 기능도 있습니다 이전 공정부터 계속 써왔던 프로그램이기에 이리 뉴스까지 나올 법 한 건 아닌가 싶었는데, 아마 2나노 들어가면서 적용한다는 backside PDN 때문에 그런게 아닌가 싶긴 하네요
날으는붕어빵 | (IP보기클릭)121.169.***.*** | 23.09.05 20:45

뭔진 모르겠지만 쩌는 기술이군요!!!!

죄수번호탈출중 | (IP보기클릭)221.166.***.*** | 23.09.05 20:08
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죄수번호탈출중

반도체 칩이 안정적으로 성능을 발휘하기 위해서는 당연히 안정적으로 전력이 공급되어야 하고, 이걸 위해서 반도체 칩을 설계할 때 PDN(power delivery network)을 어떻게 구성하느냐가 매우 중요합니다 이와 관련하여서, 현 세대 대부분의 반도체는 클럭이라고 익히 들어보셨을 동기화 신호를 기준으로 동작하는데, 이 클럭이 바뀔 때마다 칩 내에서 내에서 수많은 트랜지스터/셀이 순간적으로 동작하면서 발생하는 동적 전압 강하(dynamic voltage drop)나, 혹은 어떤 일상적인 장기간 동작 시나리오에 따른 정적 전압 강하(static IR drop) 같은 개념이 있습니다. 어떤 칩을 설계할 때 이 DVD나 IR 드랍의 수준이 기준치를 만족해야 안정적으로 동작한다고 보증하는데, 그 DVD/IR 드랍을 분석할 때 쓰는 프로그램 중 가장 메이저한 프로그램이 앤시스 사의 redhawk과 totem이라는 프로그램입니다 이 외에도 칩의 PDN에 과도한 전류가 흐르거나, 전력 공급망이 아닌 일반 신호 전달용 금속 배선에도 과한 전류든 뭐든 지속적인 스트레스로 인해 금속 배선을 구성하는 원자 배열이 흐트러져 심한 경우 끊어지거나 다른데 붙어버리는 등 영향이 가는 경우가 있는데(electromigration), 그걸 분석하는 기능도 있습니다 이전 공정부터 계속 써왔던 프로그램이기에 이리 뉴스까지 나올 법 한 건 아닌가 싶었는데, 아마 2나노 들어가면서 적용한다는 backside PDN 때문에 그런게 아닌가 싶긴 하네요

날으는붕어빵 | (IP보기클릭)121.169.***.*** | 23.09.05 20:45
날으는붕어빵

BSPDN 때문이라기 보다 사실 이전에도 Ansys에서 자사 뉴스룸을 통해서 공급 보도자료 몇 번 냈었습니다.

시무라오바상 | (IP보기클릭)211.234.***.*** | 23.09.05 20:59
날으는붕어빵

토템 많이 씁니당. 많이씁니다ㅋ

가짜수달 | (IP보기클릭)136.25.***.*** | 23.09.06 03:10
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