[H/W] IBM은 새로운 시험 칩으로 2나노미터 달성
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역시 ibm... 아범..
근데 7나노 5나노 이런 공정이 표준화된게 아니라 지들 기준따라 이름 붙이면 그만임 인텔 10나노가 삼성tsmc 7나노 보다 좋은거 보면 말 다했지
평면공정일때는 게이트 길이였는데 핀펫부터는 상대적인 밀도와 전력효율로 대충 '이 정도 nm 급'이라는 의미입니다.
헤헤 이번에 지하실의 늙은 우주인을 버리고 젊은 우주인으로 새로 잡아왔습죠
역시 ibm... 아범..
애미야 국이 짜다
이게 가능하구나... 다음 장비 나오면 더 난리겠네
헤헤 이번에 지하실의 늙은 우주인을 버리고 젊은 우주인으로 새로 잡아왔습죠
근데 7나노 5나노 이런 공정이 표준화된게 아니라 지들 기준따라 이름 붙이면 그만임 인텔 10나노가 삼성tsmc 7나노 보다 좋은거 보면 말 다했지
게이트 길이 기준 아닌가? fet 성능 하나만 좋다고 다 좋은 건 아니니깐. 컨택 레지스탄스나 메탈 두께, 리키지 등등 고려할 게 많음. standard cell도 어떻게 그리냐에 따라 성능과 집적도도 다 달라지고. 도와줘! 공정 전문가. 난 회로쟁이라 이 이상 몰라
수피론
평면공정일때는 게이트 길이였는데 핀펫부터는 상대적인 밀도와 전력효율로 대충 '이 정도 nm 급'이라는 의미입니다.
땡큐
최대 밀도는 N7이나 7LPP보다 조금 더 높은 게 맞는데 면적은 좀 더 떨어지는 것으로 압니다. 트랙 수가 더 낮아서 밀도는 좀 더 높은데 메탈2피치가 조금 딸림.
엥 웨이퍼에 가운데 사각형으로 세길 수 있는 부분만 쓰는게 아니었어? 저 옆에 온전하지 않은 꼬다리 부분은 도대체 뭐지??
포토마스크가 사각형이라 그래요 https://www.samsungsemiconstory.com/442