아는 사람은 알테지만
3nm이하로 짧아지면 터널링 현상 때문에 트랜지스터를 못 만든다는데
그러면
3nm 그 다음의 트랜지스터 발전양상은 무엇으로 바뀔까..?
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양.자.연.산
그 소리는 28nm 전환할때도 나온 거로 알고 있음
그땐 FinFET으로 트랜지스터를 바꿔서 해결했고 3nm 갈 때도 아마 다른 게 나오지 않을까 싶음
양.자.연.산
친.자.연.산
양자역학 공부한 보람이 있겠군 ㅎㅎ
TSMC가 2nm 생산한다고 이미 발표했어
아 개발이구나 잘못 말함
양자
적층
저전력 3nm 아닐까
그 소리는 28nm 전환할때도 나온 거로 알고 있음
흑룡 앙칼라곤
그땐 FinFET으로 트랜지스터를 바꿔서 해결했고 3nm 갈 때도 아마 다른 게 나오지 않을까 싶음
FinFET이야 누설전류를 획기적으로 줄이는 방법중에 하나였지만..
물량빨로 밀어붙이겄지
4Ghz의 벽도 깼다 인간은 방법을 찾을 것이다
더 줄일듯 옛날엔 20nm인가도 숏채널이랬는데 지금은 10nm 아래서 놀고 있으니... 뭔가 새로운 기술을 만들지 않을까... 재료공학쪽에서 한껀 해야할거같음
더 줄이면 소스쪽의 전자가 채널층을 뚫고 드레인쪽으로 이동하는 터널링현상이 일어나서 트랜지스터의 의미가 없어진댔어용
렝스가 지나치게 짧은 나머지 드리프트에 의해 강제로 끌려가버리는건가요? 그럼 항시 on 상태겠군요....
네 맞워요
우웡... finfet gaafet을 보니 해결하기에 재료공학 뿐만 아니라 새로운 구조로 가야 하겠네요 ㄷㄷ 혹시 뭣좀 물어 봐도 되요?
죄송해요.. 제가 사실 회로설계쪽을 희망하고 있어 잘 몰라용 ㅠ
호에엥....ㅠㅠㅠㅠ 회로설계 난이도 엄청 높은걸로 아는데 대단하시네오... 밤중에 귀찬케 해서 미안했워요
아뇽 이야기해서 즐거웠어요 ㅎ