삼성 출신 임원·직원, 10nm D램 기술 중국 CXMT 유출 혐의 기소
삼성의 전직 직원들이 중국의 CXMT에 중요한 반도체 기술을 유출하는 사건이 계속해서 발생하고 있습니다. 최근, 삼성의 10nm DRAM 기술이 중국의 반도체 기업 CXMT에 유출된 사실이 드러났습니다. 이는 몇 달 전, 삼성의 전직 직원이 18nm DRAM 기술을 중국에 유출하여 최고 형량을 받은 사건에 이어 발생한 일입니다.
한국 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 CXMT의 한 이사를 체포하였으며, 이 이사는 삼성에서 일했던 경력을 가진 인물로, CXMT의 10nm DRAM 기술 개발에 중요한 역할을 했다고 밝혔습니다. 또한 CXMT에서 일하는 다른 4명도 체포되었습니다.
검찰은 CXMT가 경쟁력을 갖춘 10nm DRAM 공정을 개발하기 위해 삼성 출신의 핵심 인재들을 채용해 기술을 유출했다고 주장하고 있습니다. 삼성은 10nm DRAM 기술 개발을 위해 1.6조 원(약 10억 8천만 달러)을 투자했으며, SK hynix도 2024년 말부터 6세대 10nm DRAM 양산을 시작할 예정입니다. 하지만 CXMT는 이 기술을 부정하게 활용하여 2023년 최초로 10nm DRAM을 양산하게 되었습니다.
검찰은 한 삼성 전직 직원이 수백 단계에 달하는 공정 정보를 유출하고, 이를 중국의 첫 성공적인 DRAM 양산에 기여했다고 밝혔습니다. 또한 CXMT는 가짜 회사를 통해 삼성 전직 직원들을 유인해 채용했다고도 밝혔습니다.
이번 사건으로 인해 한국의 반도체 경쟁력에 수조 원(수십억 달러)의 피해가 발생했다고 검찰은 추정하고 있습니다. CXMT는 현재 DDR5와 HBM3와 같은 첨단 제품을 생산하는 중국의 최대 메모리 반도체 제조업체로, 2025년 말까지 월 28만 wafers를 생산할 수 있을 것으로 예상됩니다.